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江蘇鎵宏半導(dǎo)體有限公司成立于2021年，是香港上市公司宏光半導(dǎo)體投資的全資子公司。項(xiàng)目發(fā)起人為氮化鎵領(lǐng)域領(lǐng)軍人物，以業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵功率器件和其全新應(yīng)用為拳頭產(chǎn)品，充分發(fā)揮國(guó)際領(lǐng)先的6-8寸硅基氮化鎵功率器件全套生產(chǎn)制造技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，匯集供應(yīng)鏈資源、核心技術(shù)、產(chǎn)品制造、核心客戶(hù)、資本市場(chǎng)和地方政府支持等關(guān)鍵資源，組織籌建新型的IDM產(chǎn)品平臺(tái)，助力中國(guó)在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的跨越式發(fā)展。公司租賃原晶旺光電生產(chǎn)車(chē)間約7000平方米、辦公樓約2600平方米。建設(shè)2條氮化鎵功率器件芯片生產(chǎn)中試線(xiàn)，用于研發(fā)和生產(chǎn)氮化鎵外延片、功率器件芯片及其相關(guān)應(yīng)用。已經(jīng)投資3.3億元，其中2億元用于廠房升級(jí)改造和設(shè)備采購(gòu)，包括金屬有機(jī)化合物氣相沉積系統(tǒng)、全自動(dòng)光刻機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、涂膠顯影機(jī)、干法刻蝕機(jī)等設(shè)備200余臺(tái)套，年生產(chǎn)氮化鎵功率器件芯片8000萬(wàn)顆。公司核心團(tuán)隊(duì)結(jié)合了掌握氮化鎵工藝核心技術(shù)的美國(guó)團(tuán)隊(duì)和具有豐富的硅集成電路生產(chǎn)管理經(jīng)驗(yàn)的臺(tái)灣團(tuán)隊(duì)，擁有全面駕馭產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)發(fā)展的實(shí)力。公司將依托核心團(tuán)隊(duì)對(duì)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片工藝、封裝測(cè)試、模組系統(tǒng)等關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，以及國(guó)際半導(dǎo)體企業(yè)成熟的管理體系相結(jié)合，建立氮化鎵功率芯片國(guó)產(chǎn)化的技術(shù)開(kāi)發(fā)平臺(tái)。