職位描述
功率芯片SIC，IGBT芯片設計芯片工藝
崗位職責：
1、執(zhí)行新產品開發(fā)計劃方案，總結產品研發(fā)經驗，持續(xù)改進產品性能，根據用戶或公司其他部門的要求進行設計修改和設計改進。
2、芯片、分立器件的材料設計、結構設計、工藝設計、版圖設計；
3、芯片、分立器件的工藝實施和質量控制；
4、新產品立項、開發(fā)和生產技術管理；
5、器件特性研究及Datasheet制作；
6、失效分析及售后服務技術支持。
任職要求：
1、研究生及以上學歷，從事SIC微電子或相關IGBT、VDMOS等行業(yè)研發(fā)工作5年以上；
2、有良好的溝通、協(xié)調、組織和團隊建設能力；
3、有很強的判斷、決策、計劃與執(zhí)行能力；
4、高度的工作熱情、嚴謹的工作態(tài)度與超強的責任感，良好的職業(yè)道德；
5、德才兼?zhèn)?，求實認真，開拓創(chuàng)新；有良好的個人品質。
工作地點
江寧區(qū)南京55研究新所
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職位發(fā)布者
左女士/招聘主管
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南京第三代半導體技術創(chuàng)新中心有限公司
國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）（以下簡稱“南京中心”）是國家級創(chuàng)新平臺。南京中心坐落于南京市江寧區(qū)，充分發(fā)揮南京豐富的基礎研究、應用基礎研究和技術創(chuàng)新資源優(yōu)勢，主攻電力電子、光電子、射頻電子等應用領域。南京中心以關鍵技術研發(fā)為核心使命，產學研協(xié)同推動科技成果轉移轉化與產業(yè)化，為區(qū)域和產業(yè)發(fā)展提供源頭技術供給，為科技型中小企業(yè)孵化、培育和發(fā)展提供創(chuàng)新服務，為支撐產業(yè)向中高端邁進、實現高質量發(fā)展發(fā)揮戰(zhàn)略引領作用。南京中心現擁有國內頂尖的第三代半導體器件研發(fā)技術團隊，核心技術全國領先，國際先進。該團隊由中國電科首席專家柏松領銜，擁有博士以上學歷13人，高級以上職稱12人。IntroductionNational Center of Technology Innovation for Wide BandGap Semiconductors(Nanjing) is a state-level technology innovation center， located in Jiangning District, Nanjing，Nanjing Center was set up to develope power electronics, optoelectronics, RF electronics and other electronic device technologies，giving its full play to the local advantages in fundamental researches, applied researches and technological innovation ability. Nanjing Center will cooperate together with industries, universities and research institutes to promote the technological progress and the achievement transformation of science and technology. Nanjing Center will continuously commit itself to providing technical sources for regional and industrial development, offering services for cultivating and developing small-and medium-sized enterprises, leading industries to middle and high-end and achieve high-quality development.Nanjing Center has established an R&D team which is among the best in China for wide bandgap semiconductor devices. The research team led by Bai Song, chief expert of CETC, consists of over ten doctors, and a number of senior engineers.
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