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1、負(fù)責(zé)新型IGBT模塊產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)與推進(jìn)相關(guān)工作； 2、負(fù)責(zé)芯片SPICE模型建立、IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)電路參數(shù)提取、結(jié)合應(yīng)用需求的電路仿真分析、EMI/EMC研究分析以及封裝結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)； 3、IGBT模塊產(chǎn)品特性與可靠性試驗(yàn)研究及產(chǎn)品DATASHEET工作； 4、IGBT模塊技術(shù)市場(chǎng)最新動(dòng)態(tài)跟蹤與創(chuàng)新發(fā)展規(guī)劃、交流等。

二、任職要求

1、本科及以上，有復(fù)合材料力學(xué)、復(fù)合材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、復(fù)合材料加工工藝、高分子材料有機(jī)化學(xué)知識(shí)背景； 2、3年以上IGBT模塊材料開發(fā)工作經(jīng)驗(yàn)； 3、可以熟練閱讀英文文獻(xiàn)以及英文交流，具備一定的寫作和對(duì)外交流能力； 4、性格穩(wěn)重、工作學(xué)習(xí)積極主動(dòng)、能夠吃苦耐勞、自學(xué)能力強(qiáng)、團(tuán)隊(duì)意識(shí)強(qiáng)。