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更新于 7月2日
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舉報(bào)

研發(fā)工藝工程師

7000-13000元·13薪
  • 西安未央?yún)^(qū)
  • 3-5年
  • 本科
  • 全職
  • 招1人

職位描述

元器件MOSFET晶圓設(shè)計(jì)研發(fā)封裝AutoCADSolidWorksPATHONWAFER制造工藝
詳細(xì)查看工作內(nèi)容：
晶圓研發(fā)： 1.負(fù)責(zé)根據(jù) MOSFET 器件的設(shè)計(jì)目標(biāo)（如閾值電壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度等），與代工廠合作制定或優(yōu)化工藝方案（如選擇工藝節(jié)點(diǎn)、調(diào)整摻雜濃度、柵極材料等）。確保器件設(shè)計(jì)與代工廠工藝能力（如光刻精度、蝕刻均勻性）匹配，解決工藝兼容性問題； 2.負(fù)責(zé)分析Wafer制造過程中的異常（如參數(shù)漂移、良率損失、可靠性失效），定位工藝步驟中的根源（如光刻偏移、刻蝕殘留、熱預(yù)算偏差等）。提出改進(jìn)方案（如調(diào)整退火溫度、優(yōu)化離子注入劑量），并通過 DOE（實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)）驗(yàn)證效果； 3.負(fù)責(zé)與設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)協(xié)作，平衡性能、功耗和可靠性（如優(yōu)化柵氧厚度、源漏工程）； 4.負(fù)責(zé)制定量產(chǎn)工藝的驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)（如參數(shù)分布范圍、失效閾值）； 5.負(fù)責(zé)建立并維護(hù)各fab及各平臺(tái)的工藝數(shù)據(jù)庫(kù)。 部門建設(shè)：
1.新員工培訓(xùn)、培養(yǎng)，員工新技能的開發(fā)及培養(yǎng)，培養(yǎng)資料整理優(yōu)化； 2.部門流程制度的建設(shè)、完善、優(yōu)化以及監(jiān)督實(shí)施； 3.部門輸出文件的標(biāo)準(zhǔn)化，統(tǒng)一性持續(xù)改善。 其他方面：
1.參與設(shè)計(jì)研發(fā)數(shù)據(jù)庫(kù)的建立； 2.對(duì)研發(fā)項(xiàng)目過程中的創(chuàng)新點(diǎn)，撰寫專利，進(jìn)行保護(hù)。
詳細(xì)查看任職要求：
一、年齡：25歲以上； 二、教育水平：本科及以上學(xué)歷，碩士?jī)?yōu)先； 三、專業(yè)要求：電子、微電子相關(guān)專業(yè)； 四、知識(shí)要求： 1.了解APQP文件的相關(guān)內(nèi)容； 2.了解晶圓設(shè)計(jì)及流片的工作標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范； 3.熟練掌握半導(dǎo)體器件知識(shí)以及半導(dǎo)體工藝知識(shí)； 4.了解晶圓的設(shè)計(jì)、版圖繪制、掩膜版制造等晶圓相關(guān)開發(fā)流程。 五、技能要求： 1.熟悉半導(dǎo)體物理與器件知識(shí)，深入理解 MOSFET 工作原理（如載流子輸運(yùn)、短溝道效應(yīng)、柵極堆疊結(jié)構(gòu)）； 2.精通制造工藝，熟悉 CMOS 工藝流程（如光刻、刻蝕、薄膜沉積、離子注入）及其對(duì)器件性能的影響； 3.具備數(shù)據(jù)分析能力，熟練使用統(tǒng)計(jì)工具（如 JMP、Python/Pandas）分析電性測(cè)試數(shù)據(jù)（如 Id-Vg、Id-Vd 曲線）、良率數(shù)據(jù)； 4.具備跨部門協(xié)作能力，能夠與設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)、代工廠工藝工程師等高效溝通； 5.具備問題解決思維，快速定位復(fù)雜問題的根源（如區(qū)分設(shè)計(jì)缺陷與工藝波動(dòng)）； 6.熟悉代工廠工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）和設(shè)計(jì)規(guī)則（DRC/LVS）； 7.了解先進(jìn)工藝趨勢(shì)（如 FinFET、GAA FET）對(duì) MOSFET 設(shè)計(jì)的影響； 8.掌握半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（如 ISO 9001、IATF 16949）和供應(yīng)鏈管理邏輯。 六、工作經(jīng)驗(yàn): 3年以上半導(dǎo)體晶圓研發(fā)相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)； 七、健康要求: 身體健康，無(wú)不良嗜好； 八、其他要求: 有一定的洞察能力，較強(qiáng)的邏輯分析能力。具有良好的溝通能力和團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神，獨(dú)立工作能力強(qiáng)。性格開朗，有積極認(rèn)真負(fù)責(zé)的態(tài)度，有較強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)合作精神。

獎(jiǎng)金績(jī)效

年終獎(jiǎng)

工作地點(diǎn)

西安未央?yún)^(qū)華羿微電子股份有限公司

職位發(fā)布者

張培培/招聘專員

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公司Logo華羿微電子股份有限公司
華羿微電子股份有限公司成立于2017年6月28日，位于西安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)草灘生態(tài)產(chǎn)業(yè)園，占地面積200.775畝。企業(yè)注冊(cè)資本4.1億元，天水華天電子集團(tuán)股份有限公司是公司的控股股東，持有公司88.46%的股權(quán)。華天電子集團(tuán)的產(chǎn)品現(xiàn)有塑封集成電路、半導(dǎo)體功率器件、模擬/混合集成電路、電源模塊、集成壓力傳感器/變送器、半導(dǎo)體封裝設(shè)備/模具、半導(dǎo)體包裝材料、MEMS、LED等9大系列1000多個(gè)品種。產(chǎn)品應(yīng)用于智能移動(dòng)終端、消費(fèi)類電子、工業(yè)控制、新能源汽車、節(jié)能環(huán)保、信息安全等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)及航空航天各個(gè)領(lǐng)域，集團(tuán)的半導(dǎo)體產(chǎn)品年生產(chǎn)能力達(dá)到240億只。華羿微電子主要從事汽車級(jí)功率器件與模塊封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，依托于集團(tuán)公司，在市場(chǎng)銷售、技術(shù)開發(fā)及人才支撐、管理機(jī)制和基礎(chǔ)設(shè)施等方面，具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。公司以高新技術(shù)為核心，致力于電子元器件國(guó)產(chǎn)化的設(shè)計(jì)研發(fā)、制造、封測(cè)與銷售，發(fā)展成為一家準(zhǔn)IDM公司。經(jīng)過不懈努力，現(xiàn)已成為從事中高壓大功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）及電源管理IC等功率器件和模擬集成電路的設(shè)計(jì)研發(fā)、制造、封測(cè)和銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司擁有強(qiáng)大的研發(fā)與設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，產(chǎn)品技術(shù)和工藝目前處于國(guó)內(nèi)同行業(yè)領(lǐng)先水平，產(chǎn)品可與國(guó)際著名電子公司同類產(chǎn)品相互替代。同時(shí)公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)線設(shè)備、完整的檢測(cè)中心，嚴(yán)格的專人專項(xiàng)管理，保障了產(chǎn)品的高一致性和高可靠性。公司以“優(yōu)良的品質(zhì)，高效的服務(wù)”為指導(dǎo)思想，以市場(chǎng)需求為已任，技術(shù)不斷創(chuàng)新，產(chǎn)能不斷增加，以滿足國(guó)內(nèi)外客戶的批量訂單。隨著華羿微電子的不斷壯大，公司已在無(wú)錫、天津、徐州、成都設(shè)立了辦事處，在深圳指定了專業(yè)代理商，以便為客戶提供更快更直接的服務(wù)。工業(yè)強(qiáng)則國(guó)強(qiáng)，華羿以“為客戶創(chuàng)造更高價(jià)值”為發(fā)展理念，投入更大精力，更多財(cái)力，致力于電子行業(yè)的縱深研發(fā)，為滿足客戶日新月異發(fā)展的需求做好準(zhǔn)備，使得華羿微電子與客戶之間有更深層更廣域的精誠(chéng)合作，攜手共同成長(zhǎng)。
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