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工作職責(zé)： 1、與前端設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)合作，負(fù)責(zé)復(fù)雜芯片的時鐘、復(fù)位、電源、預(yù)布局、低功耗架構(gòu)等規(guī)劃； 2、負(fù)責(zé)從Netlist到GDSII的物理設(shè)計(jì)，包括布局布線、形式驗(yàn)證、靜態(tài)時序分析、物理驗(yàn)證、功耗及電源網(wǎng)絡(luò)分析、可靠性等工作，完成投片； 3、負(fù)責(zé)先進(jìn)工藝的庫及流程的研究，與業(yè)界主流EDA公司合作，建設(shè)自動化設(shè)計(jì)平臺； 4、負(fù)責(zé)先進(jìn)工藝的預(yù)研，進(jìn)行后端設(shè)計(jì)方法學(xué)的研究，包括工藝規(guī)則分析、物理實(shí)現(xiàn)技術(shù)、STA/IR/EM signoff技術(shù)、可靠性技術(shù)等。 任職要求： 1、具備后端物理實(shí)現(xiàn)的技能，熟悉后端設(shè)計(jì)流程及工具； 2、擁有靜態(tài)時序分析的經(jīng)驗(yàn)，主導(dǎo)過中大型芯片時序評估及收斂相關(guān)工作優(yōu)先； 3、擁有物理驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)，主導(dǎo)過中大型芯片物理驗(yàn)證以及ESD/Latch Up驗(yàn)證相關(guān)工作優(yōu)先； 4、擁有IR/EM驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)，主導(dǎo)過相關(guān)理論與方法論研究，主導(dǎo)完成中大型芯片IR/EM驗(yàn)證相關(guān)工作優(yōu)先； 5、熟悉后端設(shè)計(jì)工藝，參與過數(shù)字后端庫設(shè)計(jì)，熟悉16nm、12nm、7nm、5nm等先進(jìn)工藝優(yōu)先； 6、具有自我驅(qū)動和團(tuán)隊(duì)合作精神，較強(qiáng)的口頭和書面交流能力。